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电子元器件详细资料 » IC[25889] » NJD35N04G
型号:NJD35N04G类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型NPN - 达林顿
电流_集电极(Ic)111最大2224A
电压_集电极发射极击穿111最大222350V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大2221.5V @ 20mA,2A
电流_集电极截止111最大22250µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)2000 @ 2A,2V
功率_最大45W
频率_转换90MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装DPAK-3
包装管件

供应商

深圳市瑞东芯电子科技有限公司刘0755-83204818
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
深圳市杰兴微电子有限公司林0755-23995152
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
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